ABSORPTION OPTIQUE DUE AUX TRANSITIONS INTERNES AUX CENTRES DE L'ION FE²⁺ DANS L'ARSENIURE DE GALLIUMIPPOLITOVA FK; OMEL'YANOVSKIJ EH M.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 2; PP. 236-241; BIBL. 8 REF.Article

INFLUENCE DES PROCESSUS DE CAPTURE SUR LE COMPORTEMENT DE LA PHOTOCAPACITE DANS LES CRISTAUX DE GAAS (CRGLORIOZOVA RI; KOLESNIK LI; OMEL'YANOVSKIJ EH M et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 1; PP. 124-127; BIBL. 6 REF.Article

RECOMBINAISON DES PORTEURS DANS INSB N TRES RESISTANT A 77 KSEDRAKIN RG; DARGIS A YU; ASHMONTAS SP et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 11; PP. 2094-2096; BIBL. 14 REF.Article

CROISSANCE A PARTIR DE LA PHASE FONDUE DE MONOCRISTAUX D'ARSENIURE D'INDIUM TRES RESISTANTBALAGUROV LA; GIMEL'FARB FA; KARATAEV VV et al.1976; KRISTALLOGRAFIJA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 21; NO 6; PP. 1242-1244; BIBL. 4 REF.Article

INFLUENCE DE LA CONDUCTIVITE SUPERFICIELLE SUR LES PROPRIETES ELECTROPHYSIQUES DE INSB N COMPENSEPETROVSKIJ VI; SOLOV'EV NN; OMEL'YANOVSKIJ EH M et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 10; PP. 1904-1908; BIBL. 8 REF.Article

INFLUENCE DE L'OXYGENE SUR LES PROPRIETES DE L'ARSENIURE DE GALLIUM DOPE PAR DES METAUX DE TRANSITIONANDRIANOV DG; OMEL'YANOVSKIJ EH M; RASHEVSKAYA EP et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 6; PP. 1071-1075; BIBL. 16 REF.Article

TRANSITIONS OPTIQUES ELECTRONIQUES A L'INTERIEUR D'UN CENTRE DANS GAAS: CR, EN PRESENCE D'UNE RESONANCE AVEC LE CONTINUUMIPPOLITOVA GK; OMEL'YANOVSKIJ EH M; PERVOVA L YA et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 7; PP. 1308-1313; BIBL. 16 REF.Article

GAAS RESISTANCE THERMOMETERS BETWEEN 0 AND 200^OCZARUBIN LI; MOROTSKIJ VA; NEMISH I YU et al.1977; POLUPROVODN. TECH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 26; PP. 39-42; BIBL. 4 REF.Article

COMPORTEMENT DE L'IMPURETE NICKEL DANS L'ETAT 3D⁸ DANS L'ARSENIURE DE GALLIUMSUCHKOVA NI; ANDRIANOV DG; OMEL'YANOVSKIJ EH M et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 9; PP. 1742-1746; BIBL. 15 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVITE DE GAAS MONOCRISTALLIN A FLUCTUATIONS IMPORTANTES DU POTENTIEL ELECTROSTATIQUE DES IMPURETESMESSERER MA; OMEL'YANOVSKIJ EH M; PERVOVA L YA et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 5; PP. 851-858; BIBL. 8 REF.Article

INFLUENCE DU DEGRE DE COMPENSATION SUR LA PHOTOCONDUCTIVITE ET L'EFFET PHOTO-HALL DANS LES MONOCRISTAUX DE GAAS:CR SEMI-ISOLANTOMEL'YANOVSKIJ EH M; PANTYUKHOV AN; PERVOVA L YA et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 10; PP. 1930-1933; BIBL. 14 REF.Article

Nature de la bande de photoluminescence d'énergie 1,14 eV dans les cristaux de InPLOSHINSKIJ, A. M; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 11, pp 1986-1990, issn 0015-3222Article

Influence de l'hydrogène atomique sur les propriétés de l'arséniure de galliumOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 5, pp 842-847, issn 0015-3222Article

Passivation de donneurs à niveaux peu profonds dans le phosphure d'indium par l'hydrogène atomiqueOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 10, pp 1892-1894, issn 0015-3222Article

Conditions fondamentales du développement et facteurs d'efficacité de la technologie des cellules solaires à base de silicium amorpheIOFFE, A. A; MARTYNOVA, V. G; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M et al.Geliotehnika (Taškent). 1987, Num 2, pp 11-15, issn 0130-0997Article

Conductivité par sauts entre états d'impuretés profonds dans InP<Mn>KUZNETSOV, V. P; MESSERER, M. A; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 3, pp 446-450, issn 0015-3222Article

Comparaison des paramètres des centres profonds dans les semiconducteurs de grande résistance par spectrométrie photoélectrique de relaxation avec balayage thermique ou de fréquenceOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; POLYAKOV, A. YA; TISHKIN, M. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 725-727, issn 0015-3222Article

Etude des spectres d'absorption par impureté de Si1-xCx--a:H par la méthode de spectrométrie optoacoustiqueBALAGUROV, L. A; KARPOVA, N. YU; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 673-676, issn 0015-3222Article

Photoconductivité IR de Si-a: H dans les conditions d'éclairement dans la bande intrinsèqueKUROVA, I. A; ORMONT, N. N; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 1, pp 44-47, issn 0015-3222Article

Passivation de centres d'impureté à niveau peu profond dans l'arséniure de gallium, à l'aide d'hydrogène atomiqueOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 10, pp 1762-1764, issn 0015-3222Article

Etude de la densité des états localisés dans Si-a: H par la méthode d'absorption optiqueBALAGUROV, L. A; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PINSKER, T. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 1, pp 48-52, issn 0015-3222Article

Nature de la structure fine des spectres de réflexion du réseau de l'arséniure de galliumBELOGOROKHOV, A. I; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V et al.Fizika tverdogo tela. 1987, Vol 29, Num 10, pp 2886-2889, issn 0367-3294Article

Spectre d'énergie des états D localisés dans les échantillons dopés Si-a:HBALAGUROV, L. A; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PRIMBETOV, K. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 11, pp 1967-1971, issn 0015-3222Article

Etude du spectre des niveaux profonds dans les structures épitaxiques par la méthode de spectroscopie de relaxation des courants photoinduitsKUZNETSOV, V. P; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 4, pp 735-737, issn 0015-3222Article

Transitions optiques avec participation de centres D dans les semiconducteurs amorphesBALAGUROV, L. A; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PETUKHOV, A. G et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 9, pp 1631-1636, issn 0015-3222Article